Каков механизм внутреннего фотоэффекта согласно зонной теории?
В чем заключается вентильный фотоэффект и почему так называется?
Что такое "красная граница" внутреннего фотоэффекта и полупроводников p- и n-типа?
Объясните устройство рабочего элемента вентильного фотоэлемента и принцип его работы (рис.1).
В чем состоит физический смысл спектральной чувствительности полупроводникового фотоэлемента?
Что такое фото-э.д.с.? Поясните механизм ее возникновения.
Почему чувствительность фотоэлемента зависит от длины волны падающего света? Объясните вид зависимости при больших и малых длинах волн.
По рис.2 определите, у какого полупроводника больше ширины запрещенной зоны. Ответ поясните.
Какая закономерность вентильного фотоэффекта применяется в фотоэкспонометре?
Чем отличаются полупроводниковый фотоэлемент от вакуумного.
От чего зависит значение максимальной длины волны, на которую реагирует фотоэлемент?
Поясните механизм установления равновесия потоков носителей тока через p-n-переход.
Изобразите потенциальные барьеры для электронов и дырок на p-n-переходе и поясните, какие носители тока в полупроводниках p- и n-типа принимают участие в возникновении фото-э.д.с. и фототока в замкнутой цепи фотоэлемента.
Какие по знаку избыточные заряды накапливаются в p- и n-областях при вентильном фотоэффекте? Чему равна фото-э.д.с. и от чего она зависит?
